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| Artikel-Nr.:
3794E-1631135 Herst.-Nr.:
NTMS4177PR2G EAN/GTIN:
5059042453294 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 11,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Höhe = 1.5mm
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 11,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 19 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 5mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1631135, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMS4177PR2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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