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| Artikel-Nr.:
3794E-1884902 Herst.-Nr.:
SISS30LDN-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 57 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 55,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 57 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1884902, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS30LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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