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| Artikel-Nr.:
3794E-1885016 Herst.-Nr.:
SIHW21N80AE-GE3 EAN/GTIN:
5059045827863 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 235 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 32 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 5.31mm
Höhe = 21.46mm
Leistungs-MOSFET der Serie E.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Co(er)) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247AD | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 235 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 32 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 5.31mm | Höhe: | 21.46mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885016, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHW21N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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