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| Artikel-Nr.:
3794E-2149121 Herst.-Nr.:
IPZ60R070P6FKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ P6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,07 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 53,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ P6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,07 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149121, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPZ60R070P6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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