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| Artikel-Nr.: 3794E-2172519 Herst.-Nr.: IPD50P04P413ATMA2 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 12,6 mO Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,6 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172519, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD50P04P413ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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