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| Artikel-Nr.:
3794E-2216708 Herst.-Nr.:
NTH4LN019N65S3H EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NTH4LN019N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0193 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität: 2495 pF 100%ig auf Stoßentladung geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | NTH4LN019N | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0193 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2216708, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4LN019N65S3H, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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