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| Artikel-Nr.: 3794E-2224857 Herst.-Nr.: IMW120R220M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Transistor-Werkstoff = Si
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 220 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Abschaltverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 22 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW120R220M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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