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| Artikel-Nr.: 3794E-5429563 Herst.-Nr.: IRFBG20PBF EAN/GTIN: 5059040937154 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A Drain-Source-Spannung max. = 1000 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 11 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 54 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 38 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 54 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 38 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, 5429563, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFBG20PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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