|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8123069 Herst.-Nr.:
SI1330EDL-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040792241 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 240 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 280 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 240 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 280 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8123069, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1330EDLT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |