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MOSFET DIODES Incorporated ZXMN10A08DN8TA 2 N-Kanal 1.25 W SOIC-8


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Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     3924-563651-BP
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN10A08DN8TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 405 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): DIn · I(d): 1.6 A · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 7.7 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 250 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.2 A · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET · Typ (Hersteller-Typ): ZXMN10A08DN8TA · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom min.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V

Weitere Suchbegriffe: DIODES Incorporated, ZXMN10A08DN8TA, ZXMN10A08DN8TACT-ND, FET
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