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QORVO UF3C065030B3 MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 65A, D2PAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4014228
Hersteller:
     QORVO
Herst.-Nr.:
     UF3C065030B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 12 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: D2PAK
  • Dauer-Drainstrom Id: 65 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 242 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, QORVO, UF3C065030B3, 4014228, 401-4228
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