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| Artikel-Nr.:
3794E-1867938 Herst.-Nr.:
BDX53BG EAN/GTIN:
5059045765448 |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Zu-220AB Kompaktgehäuse Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V dc | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 65 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 1867938, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BDX53BG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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