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| Artikel-Nr.: 3794E-1885410 Herst.-Nr.: FM25640B-G EAN/GTIN: k.A. |
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| Speicher Größe = 64kbit Organisation = 8K x 8 bit Interface-Typ = SPI Datenbus-Breite = 8bit Zugriffszeit max. = 20ns Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Pinanzahl = 8 Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.48mm Länge = 4.97mm Arbeitsspannnung max. = 5,5 V Höhe = 1.48mm Betriebstemperatur max. = +85 °C Automobilstandard = AEC-Q100
FRAM, Cypress-Halbleiter. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 64kbit | Organisation: | 8K x 8 bit | Interface-Typ: | SPI | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 20ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | Länge: | 4.97mm | Arbeitsspannnung max.: | 5,5 V | Höhe: | 1.48mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Automobilstandard: | AEC-Q100 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885410, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM25640BG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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