STMicroelectronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 4 A 20V 14-Pin SO 40ns

Ausgangsstrom = 4 A
Versorgungsspannung = 20V
Pinanzahl = 14
Gehäusegröße = SO
Anzahl der Ausgänge = 1
Anstiegszeit = 40ns
Topologie = Halbbrücke
Ein-/Ausgangsabhängigkeit = Abhängig
Anzahl der Treiber = 1
Brücken-Typ = Halbbrücke
Polarität = Inverting
Montage-Typ = SMD

Der L6491 ist ein Hochspannungsgerät, das mit der BCD6-″OFF-LINE″-Technologie hergestellt wird. Es handelt sich um einen Einchip-Halbbrücken-Gate-Treiber für N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT. Der Querschnitt der Hochspannungsseite (potenzialfrei) ist darauf ausgelegt, einer Versorgungsspannung von bis zu 600 V standzuhalten. Die Logikeingänge sind CMOS/TTL-kompatibel bis zu 3,3 V für eine einfache Verbindung von Mikrocontroller/DSP. Ein integrierter Komparator ist für schnellen Schutz gegen Überstrom, Übertemperatur usw. erhältlichHohe Versorgungsspannung bis zu 600 V DV/dt-Immunität ±50 V/ns im gesamten Temperaturbereich Treiberstrombelastbarkeit: 4 A Quelle/Senke Schaltzeiten 15 ns Anstieg/Abfall mit 1 NF Last 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese Integrierte Bootstrap-Diode Komparator für Fehlerschutz Kluge Abschaltungsfunktion Einstellbare Totzeit Verriegelungsfunktion Kompaktes und vereinfachtes Layout Reduzierte Materialliste Effektiver Fehlerschutz Flexible, einfache und schnelle Bauweise Anwendungen Motortreiber für Haushaltsgeräte, Fabrikautomation, industrielle Antriebe und Lüfter HID-Vorschaltgeräte Netzteil Induktionsheizung Drahtlose Ladegeräte Industriewechselrichter UPS