onsemi Universaltreiber 1,9 A 20V 8-Pin SOIC-8

Ausgangsstrom = 1,9 A
Versorgungsspannung = 20V
Pinanzahl = 8
Gehäusegröße = SOIC-8

Der on Semiconductor Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Ein isolierter Hochspannungstreiber kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Niederspannungsseiten-Netzteil versorgt werden. Diese galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.Gehäuse ist SOIC-8 (bleifrei) Hoher Peak Current Output (+1,9 A/-2,3 A) Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung Gesicherter Ausgangs-Low-State ohne VDD/VB Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V CMTI bis zu 50 kV/s. Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V. VDD- und VBS-Versorgungsspannungsbereich bis zu 20 V.