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| Artikel-Nr.:
3794E-2155779 Herst.-Nr.:
FM24C04B-GTR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 4kbit
Organisation = 512 x 8
Interface-Typ = I2C
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge = 4.97mm
Breite = 3.98mm
Höhe = 1.48mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 512
Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 4kbit | Organisation: | 512 x 8 | Interface-Typ: | I2C | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 10ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | Länge: | 4.97mm | Breite: | 3.98mm | Höhe: | 1.48mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Wörter: | 512 |
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| Weitere Suchbegriffe: soic eeprom, eeprom, 2155779, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM24C04BGTR, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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