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| Artikel-Nr.:
3794E-2196013 Herst.-Nr.:
IPT60R150G7XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,15 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = C7 GOLD
Die Infineon CoolMOS C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum Integrierte 4-polige Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quellinduktivität (∼1 nH) Ist MSL1-konform, absolut bleifrei, hat gerillte Visual Inspection-Leitungen Ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung Höhere Effizienz durch verbesserte C7 Gold-Technologie und schnelleres Schalten Verbesserte Leistungsdichte durch niedrigen R DS(on) bei geringer Abmessung, entweder durch Ersetzen von TO-Gehäusen (Höhenbeschränkungen) oder parallel vergossener SMD-Gehäuse aufgrund von thermischen oder R DS(on)-Anforderungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | HSOF-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,15 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | C7 GOLD |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, 2196013, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT60R150G7XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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