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| Artikel-Nr.:
3794E-2224833 Herst.-Nr.:
IDW10G120C5BFKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TO-247
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 10 A in einem TO-247-3-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Klassenbeste Durchlassspannung (VF) Keine Rückgewinnungsladung Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit Exzellente Wärmeleistung Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TO-247 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: 2224833, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDW10G120C5BFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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