Alliance Memory SDRAM 64MBit 4 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

Speicher Größe = 64MBit
Organisation = 4 M x 16
Datenumfang = 200MHz
Datenbus-Breite = 16bit
Adressbusbreite = 12bit
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 5.4ns
Anzahl der Wörter = 4M
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.35 x 10.29 x 1.2mm
Höhe = 1.2mm
Länge = 22.35mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V

Der Alliance Memory 64 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 64 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 1M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Schnelle Zugriffszeit ab Uhr: 4,5/5,4/5,4 ns Schnelle Taktrate: 200/166/143 MHz Vollständig synchroner Betrieb Interne verrohrungsbeschlungener Architektur 1 M Wort x 16-Bit x 4-Bank