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| Artikel-Nr.:
3794E-6395477 Herst.-Nr.:
SSM3K116TU(TE85L) EAN/GTIN:
5059041095174 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2.2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = UFM
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Verlustleistung max. = 800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SSM3
MOSFET N-Kanal, Serie SSM3K, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2.2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | UFM | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 135 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 800 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | SSM3 |
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| Weitere Suchbegriffe: 6395477, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM3K116TU(TE85L), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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