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Vishay THT Diode, 1200V / 8A, 2-Pin TO-247AC
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-7084670
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
VS-HFA08PB120-N3
EAN/GTIN:
5059040973848
Suchbegriffe:
Diode
Gleichrichter
Gleichrichterdiode
Schaltdiode
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-247AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Recovery Gleichrichter
Diode Typ = Rectifier
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 160ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 130A
HexFred® ultraschnell Gleichrichter, Vishay Semiconductor. Die Produktserie HEXFRED® von Vishay umfasst ultraschnelle Gleichrichter, die ultraschnelle Planartechnologie mit einer proprietären Schottky-barrierenbasierten inneren Struktur enthalten, die ein weiches und schnelles Wiederherstellungsverhalten bei jedem di ;sub>F ;/sub>/dt-Zustand ermöglichen. Diese Eigenschaften bedeuten, dass HEXFRED®-Produkte gut geeignet für den Einsatz als Ergänzungsdiode für IGBTs und MOSFETs sind. Merkmale. Ultraschnelle Erholungszeit Ultraweiche Erholung Sehr niedriger I ;sub>RRM ;/sub> Sehr niedriger Q ;sub>rr ;/sub> Geringere HF-Störungen (Hochfrequenzstörung) und elektromagnetische Störungen (EMI) Geringere Leistungsverluste in Diode und Schalttransistor Reduziertes Snubbing
Weitere Informationen:
Montage-Typ:
THT
Gehäusegröße:
TO-247AC
Dauer-Durchlassstrom max.:
8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch:
1200V
Diodenkonfiguration:
Einfach
Gleichrichter-Typ:
Recovery Gleichrichter
Diode Typ:
Rectifier
Pinanzahl:
2
Maximaler Spannungsabfall:
4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Diodentechnologie:
Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit:
160ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch:
130A
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Schottky-Dioden und Gleichrichter
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Vishay
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VSHFA08PB120N3
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Semiconductors
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Discrete Semiconductors
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Schottky Diodes & Rectifiers
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Art
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