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| Artikel-Nr.:
3794E-8010096 Herst.-Nr.:
DTC123JET1G EAN/GTIN:
5059042616293 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-416 (SC-75)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Widerstandsverhältnis = 0,047
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Digitale NPN-Transistoren mit Doppelwiderstand, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-416 (SC-75) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Widerstandsverhältnis: | 0,047 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 8010096, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, DTC123JET1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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