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| Artikel-Nr.:
3794E-9128318 Herst.-Nr.:
BPW 34 S-Z EAN/GTIN:
5059041295529 |
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| Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = Smart-DIL
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Fallzeit typ. = 0.02µs
Länge = 4.5mm
Breite = 3.7mm
Höhe über Panel = 1.2mm
Regelanstiegszeit = 0.02µs
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw. Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 850nm | Gehäusetyp: | Smart-DIL | Verstärkerfunktion: | Nein | Anzahl der Pins: | 2 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 400nm | Wellenlänge max.: | 1100nm | Fallzeit typ.: | 0.02µs | Länge: | 4.5mm | Breite: | 3.7mm | Höhe über Panel: | 1.2mm | Regelanstiegszeit: | 0.02µs |
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| Weitere Suchbegriffe: photodiode 850nm, foto diode, 9128318, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, ams OSRAM, BPW34SZ, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes |
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