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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N120P MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 12A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2470015
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFH12N120P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Fast-Recoverydiode
Fastrecoverygleichrichterdiode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 543 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH12N120P, 2470015, 247-0015
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