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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23

Menge:

Packung

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2533348

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
SMMBTA06LT1G

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: NPN

Übergangsfrequenz: 100 MHz

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Dauer-Kollektorstrom: 500 mA

DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE

Verlustleistung: 225 mW

Qualifikation: AEC-Q101

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Transistoren > Bipolare Transistoren > Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, SMMBTA06LT1G, 2533348, 253-3348

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