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SOLID STATE 2N6661 MOSFET, N-KANAL, 90V, 0.9A, TO-205AF


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2630600
Hersteller:
     Solid State
Herst.-Nr.:
     2N6661
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 900 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-205AF
  • Drain-Source-Spannung Vds: 90 V
  • Verlustleistung: 6.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, SOLID STATE, 2N6661, 2630600, 263-0600
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