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| Artikel-Nr.: 8737-2782972 Herst.-Nr.: IXFH26N50P3 EAN/GTIN: k.A. |
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 | Verlustleistung: 500 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 ohmProduktpalette: Polar3 HiperFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 °CDauer-Drainstrom Id: 26 ABauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 500 VRoHS konform: Keine Angaben |
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 | Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH26N50P3, 2782972, 278-2972 |
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