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STMICROELECTRONICS STQ2HNK60ZR-AP MOSFET, N-KANAL, 600V, 0.5A, TO-92


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2807309
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STQ2HNK60ZR-AP
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4 ohm
  • Produktpalette: SuperMESH
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 500 mA
  • Bauform - Transistor: TO-92
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 3 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STQ2HNK60ZR-AP, 2807309, 280-7309
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