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STMICROELECTRONICS STB13N80K5 MOSFET N-KANAL 800V, 12A, 190W, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3129828
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB13N80K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37 ohm
  • Produktpalette: MDmesh K5
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 190 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STB13N80K5, 3129828, 312-9828
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