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STMICROELECTRONICS STGW50H65DFB2-4 IGBT, 650V, 86A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3577230
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGW50H65DFB2-4
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Produktpalette: HB2
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86 A
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Verlustleistung: 272 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STGW50H65DFB2-4, 3577230, 357-7230
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