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INFINEON IMBG120R060M1HXTMA1 SIC-MOSFET, 1FACH, N-KANAL, 1.2KV, 36A

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3582463

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMBG120R060M1HXTMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 ohm

Produktpalette: CoolSiC

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Dauer-Drainstrom Id: 36 A

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV

Verlustleistung: 181 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMBG120R060M1HXTMA1, 3582463, 358-2463

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