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STMICROELECTRONICS SCTWA90N65G2V MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 119A, HIP247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3680104
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCTWA90N65G2V
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Betriebstemperatur, max.: 200 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 119 A
  • Bauform - Transistor: HiP247LL
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 565 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, SCTWA90N65G2V, 3680104, 368-0104
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