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| Artikel-Nr.:
C1002-8949518 Herst.-Nr.:
4XB7A82636 EAN/GTIN:
0889488634743 |
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| Der 176-Layer-NAND in Verbindung mit der CMOS-under-Array-Technologie von Micron und einer maximalen Datenübertragungsrate von 1600 GT/s ermöglichen um 35% höhere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und somit eine schnellere Reaktion der Anwendungen. Micron 7450 PRO - SSD - Read Intensive - verschlüsselt - 480 GB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 3072-Bit-RSA - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01 - für ThinkEdge SE450; ThinkSystem SN550 V2; SR650 V2; SR670 V2; SR860 V2; ST50 V2; ST650 V2 Weitere Informationen: Allgemein | Formfaktor | M.2 2280 | | Breite | 22 mm | | Tiefe | 80 mm | | Gerätetyp | Solid State Drive - intern | | Kapazität | 480 GB | | Merkmale | Einstellbare thermische Überwachung, Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-17, End-to-End-Datenschutz, Advanced ECC Engine, fortschrittliche Architektur zum Schutz vor Leistungsverlusten, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, Strong Asymmetric Key Support, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, Key-basiertes Firmware-Update, Key-basierter privilegierter Zugang, 176-Layer 3D TLC NAND Technologie, S.M.A.R.T. | | Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) | | NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) | | Hardwareverschlüsselung | Ja | | Verschlüsselungsalgorithmus | 3072-Bit-RSA | Herstellergarantie | Service und Support | Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr | Verschiedenes | Kennzeichnung | UL, TUV, VCCI, BSMI CNS 13438 Class B, RRL, ICES-003 Class B, IC, FCC, EN55024 Class B, RoHS, UkrSEPRO, KC, RCM, IEC 60950-1:2005 Second Edition, IEC60950/EN60950, EN 55032 Class B, AS/NZS CISPR 32 Class B, WEEE 2012/19/EC, KCC KN32 Class B, KCC KN35 Class B, BSMI CNS 15663, VCCI 2015.04 Class B, Morocco, EN 60950-1:2005, CNS 15663, 47 CFR Part 15 Class B, UKCA, EN 60950-1:2006+A1:2010+A11:2009 + A12:2011 + A2:2013, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS, EN55032 Class B | Stromversorgung | Energieverbrauch | 7 Watt (Lesen) ¦ 4.5 Watt (Schreiben) | Umgebungsbedingungen | Min Betriebstemperatur | 0 °C | | Max. Betriebstemperatur | 70 °C | | Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) | | Min. Lagertemperatur | -40 °C | | Max. Lagertemperatur | 85 °C | | Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms | | Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 gRMS @ 5-3000 Hz | Leistung | Mittlere Wartezeit | 30 µs | | Interner Datendurchsatz | 5000 MBps (lesen)/ 700 MBps (Schreiben) | | 4 KB Random Read | 280000 IOPS | | 4 KB Random Write | 40000 IOPS | | SSD-Leistung | 800 TB | | Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 0.9 | | Laufwerkklasse | Read Intensive | Zuverlässigkeit | Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 | | MTBF | 2,000,000 Stunden | Erweiterung und Konnektivität | Schnittstellen | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card | | Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 | Informationen zur Kompatibilität | Entwickelt für | Lenovo ThinkEdge SE450 7D8T ¦ Lenovo ThinkSystem SN550 V2 7Z69 ¦ Lenovo ThinkSystem SR645 7D2X, 7D2Y ¦ Lenovo ThinkSystem SR650 V2 7D15, 7Z72, 7Z73 ¦ Lenovo ThinkSystem SR665 7D2V, 7D2W ¦ Lenovo ThinkSystem SR670 V2 7Z22, 7Z23 ¦ Lenovo ThinkSystem SR860 V2 7D42, 7Z59, 7Z60 ¦ Lenovo ThinkSystem ST50 V2 7D8J, 7D8K ¦ Lenovo ThinkSystem ST650 V2 7Z74, 7Z75 |
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