Das Lenovo Intel P5520 Solid State Drive stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Datenspeichertechnologie dar und bietet sowohl Unternehmen als auch Privatpersonen hohe Leistung und Zuverlässigkeit. Mit einer Kapazität von 1,92 TB erfüllt es die Anforderungen von leseintensiven Anwendungen und bietet gleichzeitig ausreichend Platz für Ihre Daten. Die hohe Langlebigkeit des Laufwerks wird durch seine MTBF von 2.000.000 Stunden unterstrichen, die eine langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet. Die Leistung ist ein weiterer Bereich, in dem sich das P5520 auszeichnet. Mit einer beeindruckenden internen Datenrate von bis zu 5,3 GB/s beim Lesen und 1,9 GB/s beim Schreiben ist es ideal für anspruchsvolle Anwendungen, die einen schnellen Datenzugriff erfordern. Darüber hinaus verfügt das Laufwerk über fortschrittliche Technologien wie End-to-End-Datenpfadschutz, thermische Überwachung und variable Sektorgrößenverwaltung, die seine Leistung und Zuverlässigkeit weiter verbessern. Auch die Sicherheit hat höchste Priorität: Die Selbstverschlüsselungsfunktion des Laufwerks und TCG Opal Encryption 2.01 bieten einen zuverlässigen Schutz für Ihre Daten. Darüber hinaus sorgt das energieeffiziente Design für einen niedrigen Stromverbrauch und macht die Lenovo Intel P5520 zu einer umweltfreundlichen Wahl für Ihre Speicheranforderungen. Intel P5520 - SSD - Read Intensive - verschlüsselt - 1.92 TB - ohne Schacht - 2.5" (6.4 cm) - U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01 - für ThinkEdge SE450 7D8T; ThinkSystem SD650 V2 7D1M; SD650-N V2 7D1N Weitere Informationen: Allgemein | Formfaktor | 2.5" (6.4 cm) |  | Breite | 70 mm | | Tiefe | 100 mm | | Höhe | 15 mm | | Gewicht | 146 g | | Gerätetyp | Solid State Drive | | Kapazität | 1.92 TB | | Merkmale | Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, Thermal Monitoring, Variable Sector Size Management, 144 Layer Intel 3D NAND TLC, sehr geringe I/O-Latenz, S.M.A.R.T. | | Schnittstelle | U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) | | NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) | | Hardwareverschlüsselung | Ja | Herstellergarantie | Service und Support | Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr | Verschiedenes | Kennzeichnung | BSMI CNS 13438, EN 60950-1 Second Edition, Directive 2006/95/EC, EN55024:1998, CAN/CSA-CEI/IEC CISPR 22:02, FCC CFR47 Part 15 B Class B, KCC Article 11.1, EN 55022:2006, UL/CSA EN-60950-1 2nd Edition, C-Tick AS/NZS3584, ROHS Directive 2011/65/EU, WEEE Directive 2002/96/EC | Stromversorgung | Energieverbrauch | 15 Watt (Lesen) ¦ 15 Watt (Schreiben) | Umgebungsbedingungen | Min Betriebstemperatur | 0 °C | | Max. Betriebstemperatur | 70 °C | | Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 90% (nicht kondensierend) | | Schocktoleranz (in Betrieb) | 1000 g @ 0,5 ms | | Vibrationstoleranz (in Betrieb) | 2.17 gRMS @ 5-700 Hz | Leistung | Mittlere Wartezeit | 10 µs | | Interner Datendurchsatz | 5.3 GBps (lesen)/ 1.9 GBps (Schreiben) | | 4 KB Random Read | 700000 IOPS | | 4 KB Random Write | 114000 IOPS | | SSD-Leistung | 3.5 PB | | Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 1 | | Laufwerkklasse | Read Intensive | Zuverlässigkeit | Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 | | MTBF | 2,000,000 Stunden | Erweiterung und Konnektivität | Schnittstellen | 1 x PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe) | | Kompatibles Schaltfeld | 2.5" (6.4 cm) | Informationen zur Kompatibilität | Entwickelt für | Lenovo ThinkEdge SE450 7D8T ¦ Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M ¦ Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N |
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