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  igbt semikron  (22 gefilterte Angebote unter 5’234’831 Artikeln)

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"IGBT"

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IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
ab CHF 159.50*
pro Stück
 
 Stück
IGBT-Transistormodul / 300 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM300GB12F4
ab CHF 182.80*
pro Stück
 
 Stück
IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM400GB12F4
ab CHF 3’386.50008*
pro 12 Stück
 
 Packung
IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
ab CHF 2’372.55*
pro 12 Stück
 
 Packung
IGBT-Transistormodul / 75 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM75GB12F4
ab CHF 572.72*
pro 8 Stück
 
 Packung
IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM400GB12F4
ab CHF 229.08*
pro Stück
 
 Stück
IGBT-Transistormodul / 75 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM75GB12F4
ab CHF 58.41*
pro Stück
 
 Stück
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