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"MOSFET"

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Infineon BSZ0804LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin TDSON-8 FL (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TDSON-8 FL Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSZ0804LSATMA1
ab CHF 1.07*
pro Stück
 
 Stück
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 41A, D2PAK-3 (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040B3, Abfallzeit=12 ns, Anstiegzeit=15 ns, Ausschaltverzögerung=58 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa...
United Silicon Carbide
UF3C065040B3
ab CHF 28.48*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSZ42DN25NS3 G Transistor 250 V (2 Angebote)
Infineon
BSZ42DN25NS3GATMA1
ab CHF 2.325*
pro 5 Stück
 
 Packung
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 54A, TO-247-3L (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040K3S, Abfallzeit=13 ns, Anstiegzeit=24 ns, Ausschaltverzögerung=57 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp...
United Silicon Carbide
UF3C065040K3S
ab CHF 34.32*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSO110N03MS G Transistor 80 V (1 Angebot)
Infineon
BSO110N03MSGXUMA1
ab CHF 0.307*
pro Stück
 
 Stück
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 54A, TO-247-4 (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040K4S, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=22 ns, Ausschaltverzögerung=45 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa...
United Silicon Carbide
UF3C065040K4S
ab CHF 32.94*
pro Stück
 
 Stück
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0131 ohm, WDSON, Oberflächenmontage (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal...
Infineon
BSB165N15NZ3GXUMA1
ab CHF 1.57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSZ0901NSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 142 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 142 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PG-TSDSON-8 FL Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chi...
Infineon
BSZ0901NSIATMA1
ab CHF 0.70*
pro Stück
 
 Stück
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 66A, D2PAK-3 (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065030B3, Abfallzeit=15 ns, Anstiegzeit=19 ns, Ausschaltverzögerung=58 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa...
United Silicon Carbide
UJ3C065030B3
ab CHF 29.21*
pro Stück
 
 Stück
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom I...
Nexperia
PSMN2R0-30PL
ab CHF 1.05*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSZ900N20NS3 G Transistor 60 V (1 Angebot)
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1
ab CHF 0.77*
pro Stück
 
 Stück
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 85A, TO-220 (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065030T3S, Abfallzeit=15 ns, Anstiegzeit=22 ns, Ausschaltverzögerung=56 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp...
United Silicon Carbide
UJ3C065030T3S
ab CHF 33.96*
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 Stück
Infineon IPB108N15N3 G Transistor 60 V (1 Angebot)
Infineon
IPB108N15N3GATMA1
ab CHF 2.17*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSZ036NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 40 A PG-TSDSON-8-FL (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = PG-TSDSON-8-FL Montage-Typ = SMD
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1
ab CHF 0.36*
pro Stück
 
 Stück
SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 85A, TO-247-3L (1 Angebot) 
Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065030K3S, Abfallzeit=18 ns, Anstiegzeit=28 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp...
United Silicon Carbide
UF3C065030K3S
ab CHF 53.51*
pro Stück
 
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