|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1022275 Herst.-Nr.:
BYW80-200G EAN/GTIN:
5059042268263 |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Universal
Diode Typ = Ultraschneller Gleichrichter
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 1.25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 35ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 100A
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. Gleichrichterdioden, 4 A bis 9 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 8A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Ultraschneller Gleichrichter | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.25V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 35ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 100A |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor diode, gleichrichterdiode, 1022275, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, BYW80200G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |