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STMicroelectronics MDmesh STW26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-247


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Produktinformationen
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STMicroelectronics MDmesh STW26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     3794E-1031991
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW26NM60N
EAN/GTIN:
     5059042274813
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 165 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
165 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
140 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
MDmesh
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, mosfet, stm mosfet, 1031991, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW26NM60N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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