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| Artikel-Nr.:
3794E-1035069 Herst.-Nr.:
NTF2955T1G EAN/GTIN:
5059042358544 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 2,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 185 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 2,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1035069, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTF2955T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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