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| Artikel-Nr.: 3794E-1035121 Herst.-Nr.: NTD18N06LT4G EAN/GTIN: 5059042358896 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Verlustleistung max. = 55 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V Transistor-Werkstoff = Si Höhe = 2.38mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 55 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1035121, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTD18N06LT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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