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| Artikel-Nr.:
3794E-1035135 Herst.-Nr.:
1N5408G EAN/GTIN:
5059042362534 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = DO-201AD
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Maximaler Spannungsabfall = 1V
Betriebstemperatur min. = –65 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 9.5mm
Abmessungen = 5.3 (Dia.) x 9.5mm
Durchmesser = 5.3mm
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder SUR- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. Gleichrichterdioden, 2 A bis 3 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | DO-201AD | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Maximaler Spannungsabfall: | 1V | Betriebstemperatur min.: | –65 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 9.5mm | Abmessungen: | 5.3 (Dia.) x 9.5mm | Durchmesser: | 5.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: IR-Led, Infrarot-Diode, Schaltdiode, on semiconductor diode, gleichrichterdiode, 1035135, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, 1N5408G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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