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| Artikel-Nr.:
3794E-1107096 Herst.-Nr.:
IDP40E65D2XKSA1 EAN/GTIN:
5059045269731 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = TO-220
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Pinanzahl = 2
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Länge = 10.2mm
Breite = 4.5mm
Höhe = 15.95mm
Abmessungen = 10.2 x 4.5 x 15.95mm
Verlustleistung = 200W
Schnell schaltende, impulsgebergesteuerte Dioden, Infineon. Die impulsgebergesteuerten Infineon Schaltdioden sind die Familien Rapid 1 und Rapid 2 sowie die 600 V/1200 V Ultrasoft-Dioden. Die Dioden Arbeiten in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, AC/DC und die Ultrasoft-Version arbeitet in Motorantriebsanwendungen bis zu 30 kHz.. ;i> Rapid 1 ;/i>-Diode schaltet zwischen 18 kHz und 40 kHz 1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur) Die ;i>Rapid 2 ;/i> -Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung Geringe Umkehr-Erholzeit Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter ;i> Extrem schnelle Diode ;/i> 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie Zugelassen gemäß JEDEC-Standard Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen Geringe Leitungsverluste Einfache Parallelschaltung Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | TO-220 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Pinanzahl: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –40 °C | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Länge: | 10.2mm | Breite: | 4.5mm | Höhe: | 15.95mm | Abmessungen: | 10.2 x 4.5 x 15.95mm | Verlustleistung: | 200W |
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| Weitere Suchbegriffe: 1107096, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Infineon, IDP40E65D2XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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