|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1107749 Herst.-Nr.:
IPB180P04P4L02ATMA1 EAN/GTIN:
5059045555155 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 3,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = OptiMOS P
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 180 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | OptiMOS P |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1107749, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB180P04P4L02ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |