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| Artikel-Nr.:
3794E-1109135 Herst.-Nr.:
7MBR50VB-120-50 EAN/GTIN:
5059045669135 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 280 W
Gehäusegröße = M712
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 24
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 122 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Fuji Electric-IGBT-Module, 7er-Pack. V-Serie Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 280 W | Gehäusegröße: | M712 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 24 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig | Abmessungen: | 122 x 62 x 17mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 1109135, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Fuji Electric, 7MBR50VB12050, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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