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STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247


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STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     3794E-1116482
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW35N60DM2
EAN/GTIN:
     5059042896572
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 5.15mm
Serie = MDmesh DM2

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics. Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert. Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit AEC-Q101-qualifiziert
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
28 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
110 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
210 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Breite:
5.15mm
Serie:
MDmesh DM2
Weitere Suchbegriffe: 1116482, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW35N60DM2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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