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| Artikel-Nr.:
3794E-1216311 Herst.-Nr.:
NTUD3170NZT5G EAN/GTIN:
5059042233827 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 280 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-963
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.4mm
Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 280 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-963 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1216311, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTUD3170NZT5G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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