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| Artikel-Nr.:
3794E-1222883 Herst.-Nr.:
DMN63D8LV-7 EAN/GTIN:
5059043280516 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 260 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 13 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 450 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,87 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 260 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 450 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 0,87 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1222883, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN63D8LV7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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