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onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1241310
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
2N7000TA
EAN/GTIN:
5059042718980
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 5.33mm
MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor. Robuste Stoßentladungstechnologie Robuste Gate-Oxide-Technologie Niedrigere Eingangskapazität Optimierte Gatterladung
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
200 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-92
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
5 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.3V
Verlustleistung max.:
400 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Höhe:
5.33mm
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
on semiconductor mosfet
,
mosfet
,
mosfet to-92
,
1241310
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
onsemi
,
2N7000TA
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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