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| Artikel-Nr.:
3794E-1241672 Herst.-Nr.:
RFP50N06 EAN/GTIN:
5059042139907 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 131 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 9.4mm
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor. Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 22 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 131 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 9.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 50a, 1241672, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFP50N06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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