|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1241701 Herst.-Nr.:
FDMS5672 EAN/GTIN:
5059042181548 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = MLP8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.75mm
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | MLP8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.75mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1241701, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS5672, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |